Preisvergleich auf Barfigo.de: Transistors
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Baliga, B. Jayant: Advanced Power Rectifier Concepts
Caractérisation électrique des transistors FinFETs
L´un est l´oxyde d´hafnium et le second est le silicate d´hafnium nitruré.
La plupart de ces dispositifs ont subi des techniques de contrainte mécanique locales et globales.
Les résultats de mesures en statique ont montré l´amélioration considérable des performances dans les transistors contraints par rapport aux transistors standards.
Les résultats de mesures de bruit ont permis d´évaluer la qualité de l´isolant de ces dispositifs, le silicate d´hafnium nitruré semble avoir une meilleure qualité.
L´étude du bruit a permis aussi d´apporter des informations sur le transport ainsi que sur les mécanismes physiques qui génèrent le bruit en 1/f dans ces dispositifs.
Les mesures de bruit en fonction de la température (100 K - 300 K) ont permis d´identifier des défauts, souvent liés à la technologie de fabrication, dans le film de silicium par la méthode de spectroscopie de bruit.
EUR 49.00
Cressler, John D.;Niu, Guofu;Niu, Guofo: Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors
Pulfrey, David L.: Understanding Modern Transistors and Diodes
Razeghi, Manijeh: Technology of Quantum Devices
RAPP, Ludovic: Impression laser de transistors organiques en films minces
Icon Group International, Inc: The World Market for Transistors with a Dissipation Rate of At Least 1 Watt Excluding Photosensitive Transistors
Nanoscale MOS Transistors - Semi-Classical Transport and Applications
Written from an engineering standpoint, this book provides the theoretical background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOS nanoscale transistors.
A wealth of applications, illustrations and examples connect the methods described to all the latest issues in nanoscale MOSFET design.
Key areas covered include: Transport in arbitrary crystal orientations and strain conditions, and new channel and gate stack materials, All the relevant transport regimes, ranging from low field mobility to quasi-ballistic transport, described using a single modeling framework, Predictive capabilities of device models, discussed with systematic comparisons to experimental results
EUR 84.95
FinFETs and Other Multi-Gate Transistors
